Detalles del producto
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: TYOHM
Términos de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 1k
Precio: Please contact us for details
Detalles de empaquetado: TUBERCULOSIS
Tiempo de entrega: 7-10 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: Dependiendo de las circunstancias específicas, generalmente demora entre 5 y 7 días hábiles en compl
Temperatura ambiente de funcionamiento: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC( hasta 15PPM/ºC bajo petición ) |
Característica de sobrecarga: |
1,5 veces el voltaje nominal, 5 segundos |
Durabilidad de la energía: |
A 1000 horas de tensión nominal, ΔR≤±0,4% |
Resistencia a la humedad: |
MIL-Std-202, Método 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistencia de aislamiento: |
>1000 MΩ |
Temperatura ambiente de funcionamiento: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC( hasta 15PPM/ºC bajo petición ) |
Característica de sobrecarga: |
1,5 veces el voltaje nominal, 5 segundos |
Durabilidad de la energía: |
A 1000 horas de tensión nominal, ΔR≤±0,4% |
Resistencia a la humedad: |
MIL-Std-202, Método 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistencia de aislamiento: |
>1000 MΩ |
Resistencia de alto voltaje no inductiva de película gruesa de montaje superficial Fabricada con un sustrato cerámico de alta pureza y tecnología de película gruesa de metales preciosos, esta resistencia presenta una excelente tensión de ruptura y estabilidad eléctrica a largo plazo. La resistencia está encapsulada en silicona o vidrio, lo que permite un funcionamiento fiable en diversos entornos, como aire, aceite a alta presión y resina epoxi.
Diseñado como un dispositivo no inductivo, este producto ofrece una excelente tolerancia a impulsos y alta estabilidad, lo que lo hace especialmente adecuado para fuentes de alimentación de alto voltaje y circuitos de impulsos de alta energía. Los terminales de cobre estañado garantizan una buena conductividad y soldabilidad, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones que requieren alta precisión y fiabilidad.
| Artículo | Descripción del parámetro |
|---|---|
| Nombre del producto | Resistencia de alto voltaje no inductiva de película gruesa de chip |
| Rango de potencia | 0.25W ～ 12W |
| Precisión de resistencia | ±0.5%, ±1%, ±2%, ±5%, ±10% |
| Tipo de estructura | Diseño no inductivo |
| Tipo de encapsulado | Encapsulado de silicona / Encapsulado dieléctrico de vidrio |
| Material del sustrato | Cerámica de alúmina de alta calidad (Al₂O₃) con un contenido de ≥95% |
| Material de la película resistiva | Material de película gruesa de metales preciosos como plata, rutenio y paladio |
| Temperatura de sinterización | Sinterización a alta temperatura a aproximadamente 850℃ |
| Material del terminal | Terminal de cobre estañado |
| Resistencia a la humedad | Excelente resistencia a la humedad y a la corrosión |
Excelente rendimiento de resistencia a alto voltaje: Operación estable a largo plazo en entornos de alto voltaje e impacto de impulsos.
Diseño de estructura no inductiva: Suprime eficazmente la inductancia parásita, garantizando una transmisión de señal estable.
Alta conductividad térmica y alta fiabilidad: El sustrato cerámico de alúmina proporciona una excelente disipación de calor, lo que prolonga la vida útil de la resistencia.
Tecnología de película resistiva de precisión: La tecnología de sinterización de película gruesa de metales preciosos garantiza una resistencia estable y una baja deriva de temperatura.
Alta flexibilidad de encapsulado: Los encapsulados de silicona y vidrio son adecuados para diversos entornos eléctricos y mecánicos.
Esta serie de resistencias de alto voltaje no inductivas de película gruesa se utiliza ampliamente en:
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