Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: TYOHM
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Tempi di consegna: 7-10 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: A seconda delle circostanze specifiche, generalmente sono necessari 5-7 giorni lavorativi per il com
Temperatura ambiente operativa: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC (fino a 15PPM/ºC su richiesta) |
Caratteristica di sovraccarico: |
1,5 volte la tensione nominale, 5 secondi |
Durabilità dell'energia: |
A 1000 ore di tensione nominale, ΔR≤±0,4% |
Resistenza all'umidità: |
MIL-Std-202, Metodo 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistenza di isolamento: |
>1000 MΩ |
Temperatura ambiente operativa: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC (fino a 15PPM/ºC su richiesta) |
Caratteristica di sovraccarico: |
1,5 volte la tensione nominale, 5 secondi |
Durabilità dell'energia: |
A 1000 ore di tensione nominale, ΔR≤±0,4% |
Resistenza all'umidità: |
MIL-Std-202, Metodo 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistenza di isolamento: |
>1000 MΩ |
Resistore ad alta tensione non induttivo a film spesso a montaggio superficiale Prodotto utilizzando un substrato ceramico di elevata purezza e una tecnologia a film spesso in metallo prezioso, questo resistore vanta un'eccellente tensione di resistenza e stabilità elettrica a lungo termine. Il resistore è incapsulato in silicone o vetro, consentendo un funzionamento affidabile in vari ambienti tra cui aria, olio ad alta pressione e resina epossidica.
Progettato come dispositivo non induttivo, questo prodotto offre un'eccellente tolleranza agli impulsi ed elevata stabilità, rendendolo particolarmente adatto per alimentatori ad alta tensione e circuiti a impulsi ad alta energia. I conduttori in rame stagnato garantiscono una buona conduttività e saldabilità, rendendoli la scelta ideale per applicazioni che richiedono elevata precisione e affidabilità.
| Articolo | Descrizione dei parametri |
|---|---|
| Nome del prodotto | Resistore ad alta tensione non induttivo a film spesso in chip |
| Gamma di potenza | 0,25 W ～ 12 W |
| Precisione della resistenza | ±0,5%, ±1%, ±2%, ±5%, ±10% |
| Tipo di struttura | Design non induttivo |
| Tipo di pacchetto | Incapsulamento in silicone/Incapsulamento dielettrico in vetro |
| Materiale del substrato | Ceramica di allumina di alta qualità (Al₂O₃) con un contenuto ≥95%. |
| Materiale della pellicola del resistore | Materiale a film spesso di metalli preziosi come argento, rutenio e palladio |
| Temperatura di sinterizzazione | Sinterizzazione ad alta temperatura a circa 850 ℃ |
| Materiale di piombo | Piombo in rame stagnato |
| Resistenza all'umidità | Eccellente resistenza all'umidità e alla corrosione |
Eccellenti prestazioni di resistenza all'alta tensione: funzionamento stabile a lungo termine in ambienti ad alta tensione e impatto a impulsi.
Design della struttura non induttiva: sopprime efficacemente l'induttanza parassita, garantendo una trasmissione stabile del segnale.
Elevata conduttività termica ed elevata affidabilità: il substrato ceramico di allumina fornisce un'eccellente dissipazione del calore, prolungando la durata della resistenza.
Tecnologia a film resistivo di precisione: la tecnologia di sinterizzazione a film spesso di metalli preziosi garantisce resistenza stabile e deriva a bassa temperatura.
Elevata flessibilità dell'imballaggio: gli imballaggi in silicone e vetro sono adatti a vari ambienti elettrici e meccanici.
Questa serie diresistori ad alta tensione non induttivi a film spessoè ampiamente utilizzato in:
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