Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: TYOHM
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Capacità di alimentazione: A seconda delle circostanze specifiche, generalmente sono necessari 5-7 giorni lavorativi per il com
Temperatura ambiente operativa: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC (fino a 15PPM/ºC su richiesta) |
Caratteristica di sovraccarico: |
1,5 volte la tensione nominale, 5 secondi |
Durabilità dell'energia: |
A 1000 ore di tensione nominale, ΔR≤±0,4% |
Resistenza all'umidità: |
MIL-Std-202, Metodo 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistenza di isolamento: |
>1000 MΩ |
Temperatura ambiente operativa: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC (fino a 15PPM/ºC su richiesta) |
Caratteristica di sovraccarico: |
1,5 volte la tensione nominale, 5 secondi |
Durabilità dell'energia: |
A 1000 ore di tensione nominale, ΔR≤±0,4% |
Resistenza all'umidità: |
MIL-Std-202, Metodo 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistenza di isolamento: |
>1000 MΩ |
Resistore ad alta tensione a film spesso non induttivo a montaggio superficiale Prodotto utilizzando un substrato ceramico ad alta purezza e tecnologia a film spesso di metalli preziosi, questo resistore vanta un'eccellente tensione di tenuta e stabilità elettrica a lungo termine. Il resistore è incapsulato in silicone o vetro, consentendo un funzionamento affidabile in vari ambienti, tra cui aria, olio ad alta pressione e resina epossidica.
Progettato come dispositivo non induttivo, questo prodotto offre un'eccellente tolleranza agli impulsi e alta stabilità, rendendolo particolarmente adatto per alimentatori ad alta tensione e circuiti a impulsi ad alta energia. I terminali in rame stagnato garantiscono una buona conduttività e saldabilità, rendendolo una scelta ideale per applicazioni che richiedono alta precisione e affidabilità.
| Articolo | Descrizione del parametro |
|---|---|
| Nome del prodotto | Resistore ad alta tensione a film spesso non induttivo a chip |
| Intervallo di potenza | 0,25 W ～ 12 W |
| Precisione della resistenza | ±0,5%, ±1%, ±2%, ±5%, ±10% |
| Tipo di struttura | Design non induttivo |
| Tipo di confezione | Incapsulamento in silicone / Incapsulamento dielettrico in vetro |
| Materiale del substrato | Ceramica di allumina di alta qualità (Al₂O₃) con contenuto ≥95% |
| Materiale del film resistivo | Materiale a film spesso di metalli preziosi come argento, rutenio e palladio |
| Temperatura di sinterizzazione | Sinterizzazione ad alta temperatura a circa 850℃ |
| Materiale del terminale | Terminale in rame stagnato |
| Resistenza all'umidità | Eccellente resistenza all'umidità e alla corrosione |
Eccellenti prestazioni di tenuta ad alta tensione: funzionamento stabile a lungo termine in ambienti ad alta tensione e con impatti di impulsi.
Design a struttura non induttiva: sopprime efficacemente l'induttanza parassita, garantendo una trasmissione stabile del segnale.
Elevata conducibilità termica e alta affidabilità: il substrato ceramico di allumina fornisce un'eccellente dissipazione del calore, prolungando la durata del resistore.
Tecnologia di film resistivo di precisione: la tecnologia di sinterizzazione a film spesso di metalli preziosi garantisce una resistenza stabile e una bassa deriva di temperatura.
Elevata flessibilità di confezionamento: l'incapsulamento in silicone e vetro è adatto a vari ambienti elettrici e meccanici.
Questa serie diresistori ad alta tensione a film spesso non induttiviè ampiamente utilizzata in:
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