製品詳細
起源の場所: 中国
ブランド名: TYOHM
モデル番号: wor
書類: WOR Milli Ohm Wire Resistor...v1.pdf
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パッケージの詳細: TB
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抵抗値: |
1~20Ω |
耐性耐性: |
±5%(J)または±2%(G) |
短時間の過負荷: |
定格ワット数の10倍、5秒間(±2%) |
はんだ付けする熱への抵抗: |
270±5℃で10±1秒 / 350±10℃で3.5±0.5秒 (機械的損傷の形跡なし) |
定格電力負荷: |
定格電圧30分間 |
負荷寿命: |
定格電力負荷 90分ON 30分OFF 70 1000時間 |
抵抗値: |
1~20Ω |
耐性耐性: |
±5%(J)または±2%(G) |
短時間の過負荷: |
定格ワット数の10倍、5秒間(±2%) |
はんだ付けする熱への抵抗: |
270±5℃で10±1秒 / 350±10℃で3.5±0.5秒 (機械的損傷の形跡なし) |
定格電力負荷: |
定格電圧30分間 |
負荷寿命: |
定格電力負荷 90分ON 30分OFF 70 1000時間 |
WORシリーズミリΩワイヤ抵抗器(シャント)は、低抵抗値と電流検出を必要とする電子・電気回路向けに設計されています。このシリーズは、ミリΩ抵抗、低インダクタンス、高安定性、およびカスタマイズ可能な構造を組み合わせています。ワイヤ径/電流、取り付けピッチ、および成形タイプは、アプリケーションの要件に応じて選択できます。利用可能な成形オプションには、Mフォーム、MSフォーム、MGフォームがあります。このシリーズはJIS C 5201-1を参照しており、2%の抵抗許容差を、低抵抗要件が定義された回路設計向けに提供します。
低抵抗シャントコンポーネントとして、WORシリーズは電流検出および電流測定回路で使用できます。その低インダクタンス特性は、寄生インダクタンスの影響を考慮する必要がある回路設計に適しています。抵抗器は、印加電流と取り付け要件に応じてカスタマイズすることもできます。
| パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| シリーズ | WORシリーズ |
| 製品タイプ | ミリΩワイヤ抵抗器(シャント) |
| 抵抗許容差 | ±2% |
| 抵抗レベル | ミリΩ |
| インダクタンス特性 | 低インダクタンス |
| 抵抗温度係数 | CNALLOY: 200 ppm/℃; CN30W: 200 ppm/℃; CMW: 50 ppm/℃; CN49W: 50 ppm/℃ |
| 短時間過負荷 | 定格電力の10倍を5秒間 |
| 温度サイクル | -55℃~+200℃、5サイクル |
| 温度サイクル後の抵抗変化 | ΔR/R ≤1% |
| 負荷寿命 | ΔR/R ≤3% |
| 防湿負荷寿命 | ΔR/R ≤2% |
上記の仕様は、製品ドキュメントに記載されている電気的、機械的、および環境的特性から整理されています。
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WORシリーズは、技術的なコンポーネント評価に使用できる定義済みのテスト条件を提供します。短時間過負荷テストでは、抵抗器は定格電力の10倍を5秒間テストされます。温度サイクルテストは-55℃~+200℃を5サイクルをカバーし、指定された抵抗変化はΔR/R ≤1%です。負荷寿命の要件はΔR/R ≤3%であり、防湿負荷寿命の要件はΔR/R ≤2%です。
70℃を超える周囲温度での動作の場合、指定されたディレーティングカーブに従って定格負荷をディレートする必要があります。これにより、周囲温度が高い条件での動作負荷を選択するための参照が提供されます。
WORシリーズは、電流測定回路の電流検出抵抗器として使用できます。そのミリΩ抵抗により、コンポーネントは電流測定用のシャントエレメントとして機能します。2%の許容差オプションは、低抵抗と制御された許容差が必要なB2B電子回路設計に定義済みの抵抗許容差を提供します。
産業用電子機器では、WORシリーズは、電流検出、測定、および関連回路セクションの低抵抗抵抗器として機能できます。ワイヤ径/電流仕様は、必要なアプリケーション電流に応じて提供でき、取り付けピッチは5mmおよび10mmなどの取り付け要件に応じて選択できます。
電源およびパワーエレクトロニクス回路では、WORシリーズは、低抵抗シャント測定を必要とする電流経路に適用できます。その低インダクタンス抵抗器特性は、インダクタンス効果を考慮する必要がある回路設計に関連しています。定格電力の10倍を5秒間という短時間過負荷テストも、指定された過渡負荷条件でのコンポーネント評価のための定義済みのテスト条件を提供します。
WORシリーズは、ワイヤ径/電流、ピッチ、公称抵抗、2%許容差、および成形要件に基づいたカスタマイズをサポートします。Mフォーム、MSフォーム、およびMGフォームの構成は、必要な取り付け構造に応じて選択でき、シャント抵抗器をさまざまな電子アセンブリ要件に適合させることができます。