Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: TYOHM
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Capacità di alimentazione: A seconda delle circostanze specifiche, generalmente sono necessari 5-7 giorni lavorativi per il com
Precisione assoluta: |
Per tutti i valori di resistenza±1,0% |
Temperatura ambiente operativa: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC (fino a 15PPM/ºC su richiesta) |
Durabilità dell'energia: |
A 1000 ore di tensione nominale, ΔR≤±0,4% |
Resistenza all'umidità: |
MIL-Std-202, Metodo 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistenza di isolamento: |
>1000 MΩ |
Precisione assoluta: |
Per tutti i valori di resistenza±1,0% |
Temperatura ambiente operativa: |
-55℃~175℃ |
Temperatura relativa: |
50PPM/ºC (fino a 15PPM/ºC su richiesta) |
Durabilità dell'energia: |
A 1000 ore di tensione nominale, ΔR≤±0,4% |
Resistenza all'umidità: |
MIL-Std-202, Metodo 106, ΔR≤±0,5%R |
Resistenza di isolamento: |
>1000 MΩ |
I resistori a film spesso non induttivi ad alta tensione a montaggio superficiale sono realizzati utilizzando un substrato ceramico ad alta purezza e tecnologia a film spesso di metalli preziosi, mostrando un'eccellente tensione di tenuta e stabilità elettrica a lungo termine.
I prodotti sono incapsulati in silicone o vetro, consentendo un funzionamento affidabile in vari ambienti, tra cui aria, olio ad alta pressione e resina epossidica.
Il design non induttivo fornisce un'eccellente tolleranza agli impulsi e stabilità, rendendoli particolarmente adatti per alimentatori ad alta tensione e circuiti a impulsi ad alta energia.
I conduttori in rame stagnato offrono buona conduttività e saldabilità, rendendoli adatti per applicazioni che richiedono alta precisione e affidabilità.
| Articolo | Descrizione del parametro |
|---|---|
| Nome del prodotto | Resistore ad alta tensione non induttivo a film spesso su chip |
| Intervallo di potenza | 0,25 W ～ 12 W |
| Tipo di struttura | Design non induttivo |
| Tipo di confezione | Incapsulamento in silicone / Incapsulamento dielettrico in vetro |
| Materiale del substrato | Ceramica di allumina di alta qualità (Al₂O₃) con contenuto ≥95% |
| Materiale del film resistivo | Materiale a film spesso di metalli preziosi come argento, rutenio e palladio |
| Temperatura di sinterizzazione | Sinterizzazione ad alta temperatura a circa 850℃ |
| Materiale del conduttore | Conduttore in rame stagnato |
| Resistenza all'umidità | Eccellente resistenza all'umidità e alla corrosione |
Eccellenti prestazioni di tenuta ad alta tensione: funzionamento stabile a lungo termine in ambienti ad alta tensione e con impatti di impulsi.
Design a struttura non induttiva: sopprime efficacemente l'induttanza parassita, garantendo una trasmissione stabile del segnale.
Elevata conducibilità termica e alta affidabilità: il substrato ceramico di allumina fornisce un'eccellente dissipazione del calore, prolungando la durata del resistore.
Tecnologia di film resistivo di precisione: la tecnologia di sinterizzazione a film spesso di metalli preziosi garantisce una resistenza stabile e una bassa deriva di temperatura.
Elevata flessibilità di confezionamento: l'incapsulamento in silicone e vetro è adatto a vari ambienti elettrici e meccanici.
Questa serie diresistori ad alta tensione non induttivi a film spessoè ampiamente utilizzata in:
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