Résistant à film de glaçage à résistance non inductive de 25 W ¥ 500 W

Les résistances de film émaillé non inductives cylindriques haute fréquence sont fabriquées à l'aide d'une technologie avancée de film mince métallique, avec une couche de film résistif uniformément déposée autour de la surface d'un substrat céramique haute performance. Elles offrent des avantages tels qu'une capacité de puissance élevée, une large plage de résistance et d'excellentes caractéristiques haute fréquence.

Ce produit est spécifiquement conçu pour les circuits haute fréquence, les circuits AC/DC et les circuits à impulsions. Il supprime efficacement l'inductance parasite, garantissant la stabilité et la précision de la transmission du signal. Sa structure compacte et ses performances fiables en font un élément idéal comme résistance de charge et élément d'absorption dans les systèmes électroniques de haute puissance, maintenant des performances stables dans divers environnements d'application difficiles.

Cette série de résistances utilise un processus de frittage de film émaillé à haute température, assurant une liaison solide entre la couche de film résistif et le substrat, résultant en une excellente dissipation thermique et stabilité électrique. La structure bobinée non inductive élimine efficacement l'inductance parasite, permettant une réponse en fréquence rapide et des performances à faible bruit. Les résistances sont de petite taille, légères et hautement conductrices, tout en possédant une haute isolation et une excellente résistance aux impulsions. Leur résistance aux hautes températures, leur résistance à l'humidité et leur longue durée de vie garantissent un fonctionnement fiable à long terme dans des conditions complexes.

• Circuits amplificateurs haute fréquence et systèmes de filtrage
• Amplificateurs de puissance radiofréquence (PA RF)
• Équipements de communication et radar
• Convertisseurs et onduleurs de puissance
• Instruments de mesure de précision et systèmes de test
• Alimentations industrielles et circuits d'absorption de charge fictive